Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 22uH 2MHz 20% 1608 AEC-Q200
Scheda dati
3.157A magazzino
8.00018/02/2026 previsto
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22 uH 20 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1uH 10MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
5.562A magazzino
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1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 10MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
4.002A magazzino
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2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
5.676A magazzino
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1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
7.220A magazzino
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2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
5.495A magazzino
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3.3 uH 20 % 500 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
6.721A magazzino
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4.7 uH 20 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
5.849A magazzino
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4.7 uH 20 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 22uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
6.000A magazzino
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22 uH 20 % 220 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1 H, 500mO
Scheda dati
7.787A magazzino
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1 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
6.046A magazzino
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1 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1 UH 10%
Scheda dati
6.722A magazzino
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1 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
Scheda dati
5.765A magazzino
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1 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200
Scheda dati
3.375A magazzino
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1 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.2 UH 5%
Scheda dati
4.802A magazzino
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1.2 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.2uH 650mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
5.554A magazzino
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1.2 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.2 H, 650mO
Scheda dati
9.418A magazzino
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1.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.2uH 650mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
Scheda dati
4.095A magazzino
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1.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.2 H, 650mO
Scheda dati
2.793A magazzino
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1.2 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 0603 1.5uH 5%
Scheda dati
7.306A magazzino
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1.5 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.5uH 700mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
6.260A magazzino
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1.5 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.5 H, 700mO
Scheda dati
3.360A magazzino
4.00004/03/2026 previsto
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1.5 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.5uH 700mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
Scheda dati
2.638A magazzino
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1.5 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.5 H, 700mO
Scheda dati
3.970A magazzino
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Nastrati: 4.000

1.5 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.8 UH 5%
Scheda dati
5.818A magazzino
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Nastrati: 4.000

1.8 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C