Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 40mA, 1 H, 640mO
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1 uH 10 % 40 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.39uH 5% AEC-Q200
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8.115A magazzino
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390 nH 5 % 130 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0402 1.8uH 5% AEC-Q200
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11.258A magazzino
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1.8 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0402 1.0uH 5% AEC-Q200
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12.483A magazzino
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1 uH 5 % 40 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0402 2.2uH 5% AEC-Q200
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12.317A magazzino
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2.2 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 68uH 3.64ohms 140mA Wound Ferrite
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13.290A magazzino
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68 uH 10 % 140 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD 0402 1.5uH 5% AEC-Q200
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14.189A magazzino
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1.5 uH 5 % 35 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.39uH 5% AEC-Q200
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9.112A magazzino
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390 nH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.27 H, 910mO
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9.240A magazzino
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270 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD TDK
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10.349A magazzino
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390 nH 5 % 130 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 22uH 0.77ohms 300mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
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11.388A magazzino
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22 uH 10 % 300 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 45mA, 0.68 H, 550mO
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13.309A magazzino
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680 nH 10 % 45 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 180mA, 0.1 H, 510mO
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11.824A magazzino
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100 nH 10 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.18uH 5% AEC-Q200
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7.958A magazzino
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180 nH 5 % 160 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .33 UH 10%
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9.225A magazzino
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330 nH 5 % 140 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 1.6ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200
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4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 27uH 1.8ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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3.830A magazzino
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27 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 27uH 1.8ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200
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27 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 560nH 550mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
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4.731A magazzino
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560 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.5 UH 20%
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2.780A magazzino
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1.5 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 500mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.970A magazzino
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2.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.7uH 550mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
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2.7 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 270nH 600mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200
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633A magazzino
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270 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 220nH 550mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
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15.291A magazzino
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220 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.15 H, 450mO
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21.421A magazzino
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150 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C