Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 22uH 900mohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200
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22 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 27 H, 1O
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2.995A magazzino
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27 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 27uH 1.0ohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200
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2.400A magazzino
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27 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 27uH
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1.857A magazzino
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27 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 33 H, 1.1O
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2.955A magazzino
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33 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 33uH 1.1ohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200
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2.440A magazzino
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33 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 33 H, 1.1O
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116A magazzino
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33 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 33uH 1.1ohms 5mA +/-20% Fer AEC-Q200
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3.790A magazzino
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33 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 2mA, 68 H, 2.9O
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5.249A magazzino
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68 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 68uH 2.9ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.831A magazzino
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68 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 68uH 2.9ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.965A magazzino
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68 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 2mA, 82 H, 3O
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7.748A magazzino
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82 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 82uH 3.0ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.265A magazzino
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82 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 2mA, 82 H, 3O
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1.740A magazzino
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82 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 47 NH 20%
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11.123A magazzino
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47 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 47nH 100mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200
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2.906A magazzino
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47 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.068 H, 150mO
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6.506A magazzino
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68 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 68nH 150mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200
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4.119A magazzino
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68 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.082 H, 150mO
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7.084A magazzino
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82 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 82nH 150mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200
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3.236A magazzino
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82 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.1 H, 150mO
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4.894A magazzino
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100 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 100nH 150mohms 300mA +/-5% Fer AEC-Q200
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7.989A magazzino
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100 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .1 UH 10%
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4.334A magazzino
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100 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 100nH 150mohms 300mA +/-10% Fer AEC-Q200
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2.953A magazzino
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100 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.1 H, 150mO
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1.991A magazzino
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100 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C