Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 2012 2.7uH 5%
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2.7 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.7 UH 10%
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2.543A magazzino
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2.7 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 50mA, 3.3 H, 600mO
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5.426A magazzino
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3.3 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 600mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
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553A magazzino
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3.3 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 3.3 UH 10%
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19.050A magazzino
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3.3 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH
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2.385A magazzino
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3.3 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.9 UH 5%
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4.743A magazzino
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3.9 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 0805 3.9uH 10%
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49A magazzino
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3.9 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.9uH 650mohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.911A magazzino
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3.9 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 30mA, 4.7 H, 700mO
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9.847A magazzino
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4.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 700mohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200
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2.976A magazzino
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4.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 700mohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200
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3.975A magazzino
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4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH
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2.015A magazzino
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4.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 100 UH 10%
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10.437A magazzino
10.00016/03/2026 previsto
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100 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 100uH 3.1ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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5.785A magazzino
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100 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 100uH
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4.197A magazzino
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100 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C
TDK Induttori RF - SMD 100uH 3.1ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.970A magazzino
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100 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 15 UH 10%
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15.005A magazzino
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15 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 15uH 700mohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.739A magazzino
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15 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 15 H, 700mO
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1.978A magazzino
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15 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 18 H, 800mO
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11.778A magazzino
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18 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 18uH 800mohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.965A magazzino
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18 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 22 UH 10%
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5.574A magazzino
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22 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 22uH 900mohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200
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818A magazzino
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22 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 27 H, 1O
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2.995A magazzino
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27 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C