Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 6.8uH 1.3ohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200
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6.8 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 6.8uH 1.3ohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200
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2.773A magazzino
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6.8 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 8.2 UH 5%
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11.800A magazzino
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8.2 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 8.2uH 1.5ohms 10mA +/-5% Fer AEC-Q200
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5.958A magazzino
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8.2 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 8.2 H, 1.5O
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7.948A magazzino
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8.2 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 8.2uH 1.5ohms 10mA +/-10% Fer AEC-Q200
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3.468A magazzino
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8.2 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 8.2uH 1.5ohms 10mA +/-20% Fer AEC-Q200
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3.074A magazzino
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8.2 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.0 UH 10%
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27.233A magazzino
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1 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 300mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200
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3.651A magazzino
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1 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1 H, 300mO
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3.461A magazzino
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1 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 300mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200
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3.144A magazzino
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1 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2012 1.2uH 5%
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5.401A magazzino
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1.2 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.2uH 350mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200
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1.2 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.2 UH 10%
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1.2 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.5 H, 400mO
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1.5 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.5uH 400mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200
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1.5 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.5uH 400mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.5 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2012 1.8uH 5%
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1.8 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.8 H, 450mO
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1.8 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.8uH 450mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.8 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.8uH 450mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.8 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2012 2.2uH 5%
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2.2 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 500mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
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5.463A magazzino
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2.2 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 50mA, 2.2 H, 500mO
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2.2 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 500mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200
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98A magazzino
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2.2 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200