Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD .68 UH 10%
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28.643A magazzino
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680 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 70mA, 0.68 H, 1.25O
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1.235A magazzino
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680 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 680nH 1.25ohms 70mA +/-20% Fer AEC-Q200
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2.025A magazzino
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680 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .82 UH 5%
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15.206A magazzino
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820 nH 5 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 820nH 1.4ohms 70mA +/-5% Fer AEC-Q200
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12.646A magazzino
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820 nH 5 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 70mA, 0.82 H, 1.4O
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8.000A magazzino
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820 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 820nH 1.4ohms 70mA +/-10% Fer AEC-Q200
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3.472A magazzino
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820 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .82 UH 20%
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54A magazzino
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820 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 10 UH 5%
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2.272A magazzino
20.00004/03/2026 previsto
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10 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 10uH 1.7ohms 10mA +/-5% Fer AEC-Q200
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355A magazzino
8.00018/02/2026 previsto
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10 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 10uH 1.7ohms 10mA +/-10% Fer AEC-Q200
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8.814A magazzino
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10 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 10uH 1.7ohms 10mA +/-20% Fer AEC-Q200
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5.612A magazzino
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10 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 12 UH 5%
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4.250A magazzino
20.00018/02/2026 previsto
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12 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 12uH 1.8ohms 10mA +/-5% Fer AEC-Q200
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5.426A magazzino
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12 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 12 H, 1.8O
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2.960A magazzino
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12 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 12uH 1.8ohms 10mA +/-10% Fer AEC-Q200
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6.474A magazzino
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12 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 12 H, 1.8O
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2.419A magazzino
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12 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 5.6 UH 5%
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10.399A magazzino
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5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 5.6uH 1.1ohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200
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74A magazzino
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5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 5.6 UH 10%
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18.523A magazzino
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5.6 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 5.6uH 1.1ohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200
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3.930A magazzino
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5.6 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 5.6uH 1.1ohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200
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6.967A magazzino
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5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 1.3O
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7.339A magazzino
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6.8 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 6.8uH 1.3ohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200
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3.564A magazzino
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6.8 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 1.3O
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6.726A magazzino
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6.8 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C