TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

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Qtà RoHS Tipo di prodotto
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Package/involucro
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Scheda dati
615A magazzino
Min: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Scheda dati
1.425A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
1.280A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Scheda dati
279A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Scheda dati
382A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Moduli IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Scheda dati
8A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Scheda dati
396A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Scheda dati
48010/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 45 settimane
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 30 settimane
Min: 240
Mult.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 45 settimane
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)