TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

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Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 1.435A magazzino
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY 1.290A magazzino
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 615A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES 994A magazzino
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES 1.795A magazzino
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 279A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 401A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES 382A magazzino
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode 720A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Moduli IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module 9A magazzino
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IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4