NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Dimensioni memoria
Organizzazione
Tempo di accesso
Frequenza di clock massima
Tipo di interfaccia
Tensione di alimentazione - Max.
Tensione di alimentazione - Min.
Corrente di alimentazione - Max
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 5.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
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72 Mbit 4 M x 18 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 5.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
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72 Mbit 4 M x 18 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
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72 Mbit 2 M x 36 5.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
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72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
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72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
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72 Mbit 2 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
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72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
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72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
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72 Mbit 2 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 315 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 230 mA, 315 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
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72 Mbit 4 M x 18 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 370 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray