HEMT GaN

Gli HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) al GaN (nitruro di gallio) di Cree offrono maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda rispetto ai transistor a Si e GaAs. Il GaN presenta proprietà superiori rispetto al silicio o all'arsenuro di gallio, inclusa una maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica.
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Risultati: 32
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs th - Tensione di soglia gate-source Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Frequenza di lavoro massima Frequenza di lavoro minima Tecnologia
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 126A magazzino
1.800In ordine
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: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 937A magazzino
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SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2.224A magazzino
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Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 738A magazzino
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Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt 278A magazzino
50007/12/2026 previsto
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Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 87A magazzino
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Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 154A magazzino
15013/11/2026 previsto
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Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 140A magazzino
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Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 4.5 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
560A magazzino
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SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 14A magazzino
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SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C 5.9 GHz 5.2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 1A magazzino
2025/09/2026 previsto
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Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
73508/10/2026 previsto
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: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C 18 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt Tempo di consegna 26 settimane
Min: 1
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Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
6024/09/2026 previsto
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SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 250
Mult.: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C 2.7 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
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Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 100
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SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 200
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt Tempo di consegna 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C 1.4 GHz 960 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 50
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SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt

SMD/SMT Die N-Channel 50 V 4 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C 18 GHz 10 MHz GaN