HEMT GaN

Gli HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) al GaN (nitruro di gallio) di Cree offrono maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda rispetto ai transistor a Si e GaAs. Il GaN presenta proprietà superiori rispetto al silicio o all'arsenuro di gallio, inclusa una maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica.
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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700A magazzino
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SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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21A magazzino
Min: 1
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Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
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143A magazzino
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Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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10A magazzino
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SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
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93A magazzino
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Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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50A magazzino
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SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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394A magazzino
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SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1.119A magazzino
480In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
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Nastrati: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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3.326A magazzino
Min: 1
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Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
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388A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
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183A magazzino
40018/05/2026 previsto
Min: 1
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Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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33A magazzino
10006/08/2026 previsto
Min: 1
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Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
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375A magazzino
25009/04/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
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SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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364A magazzino
25027/04/2026 previsto
Min: 1
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Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
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10A magazzino
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SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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20A magazzino
Min: 10
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SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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5A magazzino
10003/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
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Tempo di consegna 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 25
Mult.: 25

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 10
Mult.: 10

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 10
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SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 250
Mult.: 250
Nastrati: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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Tempo di consegna 26 settimane
Min: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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40A magazzino
Min: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
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30A magazzino
Min: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V