Barriera Schottky Trench MOS TMBS® Vishay SemiconductorsVishay Super12 per il 2014

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Vishay Semiconductors

I raddrizzatori Schottky a barriera MOS TMBS® nel package SMPA di Vishay Semiconductors offrono livelli di tensione da 3 A a 8 A in un package a montaggio superficiale e profilo estremamente ridotto con un'altezza tipica di 0,95 mm e si caratterizzano per la bassa caduta di tensione diretta di soli 0,37 V a 3 A che riduce le perdite di potenza e aumenta l'efficienza. I dispositivi da 45 V in package SMPA sono conformi alle qualifiche AEC-Q101 per le applicazioni automobilistiche, mentre i raddrizzatori da 50 V sono ideali per i caricabatterie per smartphone e tablet. Il package SMPD è disponibile in dispositivi da 45 V a 120 V con valori di corrente da 10 A a 60 A e offre una bassa caduta di tensione diretta di soli 0,40 V a 15 A. Il package SMPD è compatibile con D2PAK (TO-263) e offre al contempo una minore altezza tipica di 1,7 mm.

Caratteristiche
  • Struttura Trench brevettata
  • Tensioni nominali: 45 V, 50 V, 60 V, 80 V, 100 V, 120 V, 150 V, 200 V
  • Miglioramento dell'efficienza nei converitori SMPS CA/CC e CC/CC
  •  Ad alta densità di energia e bassa corrente diretta
  • Opzioni a più pacchetti
Applicazioni
  • Adattatori per monitor LCD/TV, mini PC
  • Alimentatori per PC e server
  • SMPS CA/CC
  • Convertitori CC/CC
  • Diodi OR-ing per telecomunicazioni e server
  • Scatole di derivazione per celle solari quali diodo di bypass per protezione

Codice articoloIntegrato/involucroVrrm - Repetitive Reverse VoltageIf - Forward CurrentScheda tecnica
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  • Vishay
Pubblicato: 2015-06-26 | Aggiornato: 2015-06-26