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BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 509.97 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-BST400D12P4A101

N. produttore:

BST400D12P4A101

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

Moduli MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

BST400D12P4A101 Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	509,97 €	509,97 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Press Fit
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	394 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	8.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.667 kW
Confezione:	Bulk
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	JP
Tempo di caduta:	42 ns
Prodotto:	Power Module
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	102 ns
Quantità colli di fabbrica:	80
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	EcoSiC
Ritardo di spegnimento tipico:	198 ns
Tipico ritardo di accensione:	119 ns

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Specification Sheets

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USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

I TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A101 e BST400D12P4A111 di ROHM Semiconductor con moduli stampati SiC 2-in-1 presentano tensione nominale da 1.200 V in un compatto package con dimensioni 41,6 mm × 52,5 mm. Questi moduli integrano MOSFET SiC di quarta generazione per una progettazione ad alta densità di potenza che riduce notevolmente le dimensioni degli inverter dei veicoli elettrici (xEV). I moduli BST400D12P4A101 e BST400D12P4A111 di ROHM Semiconductor supportano fino a 300 kW e presentano una configurazione di terminale progettata per soddisfare le sfide critiche della trazione inverter in termini di miniaturizzazione, efficienza più elevata e meno ore-persona. Questi moduli non richiedono saldatura per i terminali del segnale, offrendo facilità d'uso per i progettisti.

Moduli di potenza SiC ad alta densità

I moduli di potenza al carburo di silicio (SiC) ad alta densità di ROHM Semiconductor sono progettati per supportare conversione di potenza ad alta efficienza in settore automobilistico e applicazioni industriali. La gamma include diverse piattaforme di package come TRCDRIVE pack™, HSDIP20 e DOT-247, ognuna ottimizzata per diverse classi di potenza e requisiti di sistema. Questi pacchetti integrano i MOSFET SiC in strutture modulari compatte che consentono alta densità di potenza, prestazioni di commutazione stabili e una gestione termica efficiente. A seconda del package sono disponibili configurazioni come 2-in-1, 4-in-1 e 6-in-1, garantendo flessibilità per una vasta gamma di conversione di potenza e applicazionidi unità di azionamento motore.