BST400D12P4A101

ROHM Semiconductor
755-BST400D12P4A101
BST400D12P4A101

Produttore:

Descrizione:
Moduli MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: Moduli MOSFET
SiC
Press Fit
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
394 A
8.6 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
1.667 kW
Bulk
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Dual
Tempo di caduta: 42 ns
Prodotto: Power Module
Tipo di prodotto: MOSFET Modules
Tempo di salita: 102 ns
Quantità colli di fabbrica: 80
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Nome commerciale: EcoSiC
Ritardo di spegnimento tipico: 198 ns
Tipico ritardo di accensione: 119 ns
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Scheda dati

Specification Sheets

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Codici di conformità
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Giappone
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

I TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A101 e BST400D12P4A111 di ROHM Semiconductor con moduli stampati SiC 2-in-1 presentano tensione nominale da 1.200 V in un compatto package con dimensioni 41,6 mm × 52,5 mm. Questi moduli integrano MOSFET SiC di quarta generazione per una progettazione ad alta densità di potenza che riduce notevolmente le dimensioni degli inverter dei veicoli elettrici (xEV). I moduli BST400D12P4A101 e BST400D12P4A111 di ROHM Semiconductor supportano fino a 300 kW e presentano una configurazione di terminale progettata per soddisfare le sfide critiche della trazione inverter in termini di miniaturizzazione, efficienza più elevata e meno ore-persona. Questi moduli non richiedono saldatura per i terminali del segnale, offrendo facilità d'uso per i progettisti.

Moduli di potenza SiC ad alta densità

I moduli di potenza al carburo di silicio (SiC) ad alta densità di ROHM Semiconductor sono progettati per supportare conversione di potenza ad alta efficienza in settore automobilistico e applicazioni industriali. La gamma include diverse piattaforme di package come TRCDRIVE pack™, HSDIP20 e DOT-247, ognuna ottimizzata per diverse classi di potenza e requisiti di sistema. Questi pacchetti integrano i MOSFET SiC in strutture modulari compatte che consentono alta densità di potenza, prestazioni di commutazione stabili e una gestione termica efficiente. A seconda del package sono disponibili configurazioni come 2-in-1, 4-in-1 e 6-in-1, garantendo flessibilità per una vasta gamma di conversione di potenza e applicazionidi unità di azionamento motore.

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