MMIC basati su Gan HEMT

i MMIC (circuiti integrati a microonde monolitici) basati su GaN (nitruro di gallio) HEMT (transistor a elevata mobilità di elettroni) di Cree consentono di ottenere ampiezze di banda estremamente elevate in pacchetti di ridotto ingombro. Il GaN presenta proprietà superiori rispetto al silicio o all'arsenuro di gallio, inclusa una maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica. Gli HEMT GaN offrono, inoltre, maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda rispetto ai transistor a Si e GaAs.
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Frequenza di lavoro
Tensione di alimentazione di lavoro
Corrente di alimentazione operativa
Guadagno
Tipo
Stile di montaggio
Tecnologia
P1dB - Punto di compressione
OIP3 - Intercetta del terzo ordine
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
MACOM Amplificatori RF GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
Scheda dati
10A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

20 MHz to 6 GHz 50 V 500 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 32 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificatori RF GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
Scheda dati
9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

2.5 GHz to 6 GHz 28 V 1.2 A 24 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Tray
MACOM Amplificatori RF GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
Scheda dati
1A magazzino
1030/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificatori RF GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
Scheda dati
2A magazzino
5024/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

20 MHz to 6 GHz 28 V 100 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificatori RF GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

13.75 GHz to 14.5 GHz 40 V 240 mA 24 dB Power Amplifiers Screw GaN - 15 dBm - 40 C + 85 C Tray