Wolfspeed / Cree MMIC basati su Gan HEMT

i MMIC (circuiti integrati a microonde monolitici) basati su GaN (nitruro di gallio) HEMT (transistor a elevata mobilità di elettroni) di Cree consentono di ottenere ampiezze di banda estremamente elevate in pacchetti di ridotto ingombro. Il GaN presenta proprietà superiori rispetto al silicio o all'arsenuro di gallio, inclusa una maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica. Gli HEMT GaN offrono, inoltre, maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda rispetto ai transistor a Si e GaAs.

Caratteristiche

  • High efficiency
  • High gain
  • Wide bandwidth capabilities
  • High breakdown voltage
  • High saturated electron drift velocity
  • High thermal conductivity

Applicazioni

  • Radar
  • Broadband amplifiers
  • Satcom and point-to-point radio
  • Data link and tactical data link
  • Jamming amplifiers
  • Test equipment amplifiers
  • Marine radar

Note applicative

{"IsParent":false,"RelatedContentTitle":"Related Product","ModuleId":149295,"MarketingIds":["122791544","180996689","142657343"]}

Comparison Chart

Grafico - Wolfspeed / Cree MMIC basati su Gan HEMT
{"MarketingId":"137274179","Columns":"[\"PartNumber\",\"DataSheet\",\"Description\",\"Gain\"]"}