MOSFET di potenza R60/R65 N-Ch

I MOSFET di potenza N-Can R60/R65 di ROHM Semiconductor forniscono un’uscita a singolo canale con tensione drain-source 600 V o 650 V in package TO-220FM-3/SOT-223-3. I MOSFET R60/R65 presentano un intervallo di temperatura di funzionamento da -55°C a 150°C/155°C e opzioni di dissipazione di potenza di 7,8 W, 6,6 W, 12,3 W, 9,1 W, 40 W, 46 W, 48 W,, 53 W, 68 W, 74 W o 86 W. I MOSFET di potenza N-Can R60/R65 sono ideali per applicazioni di commutazione.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 258A N-CH MOSFET
Scheda dati
553A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Scheda dati
600A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 7A N-CH MOSFET
Scheda dati
5.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 9A N-CH MOSFET
Scheda dati
4.949A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 60A N-CH MOSFET
Scheda dati
60022/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna 18 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube