TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET 798A magazzino
9.00015/06/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 680 pC - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET 6.322A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.65 nC - 55 C + 150 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET 3.929A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 150 C 240 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel