TSM2N7002AKDCU6 RFG

Taiwan Semiconductor
821-TSM2N7002KDCU6
TSM2N7002AKDCU6 RFG

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET

Modello ECAD:
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0,052 € 312,00 €
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0,046 € 1.104,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Taiwan Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
220 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
91 nC
- 55 C
+ 150 C
240 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Taiwan Semiconductor
Configurazione: Dual
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: TW
Tempo di caduta: 50 ns
Transconduttanza diretta - Min: 0.5 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 10 ns
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 20 ns
Tipico ritardo di accensione: 4 ns
Alias n. parte: TSM2N7002AKDCU6
Peso unità: 7,500 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.