DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
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Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 105 nC 230 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
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Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
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Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 890 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
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Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 795 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
Scheda dati
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Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
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Min: 2.000
Mult.: 2.000
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
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Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel