DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Risultati: 113
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
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Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
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Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 265 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W DTMOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
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Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms 104 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
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Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
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Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
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Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 5.000
Mult.: 5.000
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube