MOSFET a trincea SiC SCT3x di terza generazione

I MOSFET a trincea SiC della serie SCT3x di ROHM Semiconductor utilizzano una struttura proprietaria a trincea che riduce la resistenza ON del 50% e la capacità di ingresso del 35% rispetto ai MOSFET SiC di tipo planare. Questo design si traduce in una perdita di commutazione significativamente inferiore e velocità di commutazione più elevate, migliorando l'efficienza operativa e riducendo la perdita di potenza in una varietà di apparecchiature. La serie SCT3x di ROHM Semiconductor include varianti da 650 V e 1200 V per un'ampia applicabilità.