MOSFET a trincea SiC SCT3x di terza generazione

I MOSFET a trincea SiC della serie SCT3x di ROHM Semiconductor utilizzano una struttura proprietaria a trincea che riduce la resistenza ON del 50% e la capacità di ingresso del 35% rispetto ai MOSFET SiC di tipo planare. Questo design si traduce in una perdita di commutazione significativamente inferiore e velocità di commutazione più elevate, migliorando l'efficienza operativa e riducendo la perdita di potenza in una varietà di apparecchiature. La serie SCT3x di ROHM Semiconductor include varianti da 650 V e 1200 V per un'ampia applicabilità.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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360A magazzino
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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199A magazzino
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
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393A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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1.629A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
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376A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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695A magazzino
Min: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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477A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
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1.021A magazzino
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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506A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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352A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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376A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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428A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N
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169A magazzino
Min: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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61A magazzino
Min: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 650V 70A N-CH SIC
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235A magazzino
Min: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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529A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
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714A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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87A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 105 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA
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990A magazzino
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SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET
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983A magazzino
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Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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147A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N
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66A magazzino
45012/08/2026 previsto
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
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102A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
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322A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
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839A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement