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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
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Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 179 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
Scheda dati
Tempo di consegna 14 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 85 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5
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Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
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Min: 600
Mult.: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 19 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 350 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp
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Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 600
Mult.: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 266 nC - 65 C + 150 C 560 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
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Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.5 A 630 mOhms MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
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Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Reel
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 72 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
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Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
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Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
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Min: 600
Mult.: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube