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STB32N65M5

Name: STMicroelectronics STB32N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB32N65M5
Price: 4.46 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STB32N65M5

N. produttore:

STB32N65M5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

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Scheda dati:

STB32N65M5 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	95 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	72 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	150 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	16 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	12 ns
Serie:	Mdmesh M5
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	56 ns
Tipico ritardo di accensione:	53 ns
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

STB32N65M5 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N MDmesh™ V

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V STMicroelectronics contengono la rivoluzionaria tecnologia MDmesh™ V, basata su un innovativo processo verticale brevettato, combinato con la nota struttura orizzontale STMicroelectronics PowerMESH™. I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V Power hanno una resistenza in conduzione estremamente bassa, senza paragoni tra i MOSFET di potenza al silicio, caratteristica che li rende particolarmente adatti alle applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza straordinaria.
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