Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 85mohm GaN FET in TOLL Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in TO220
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN