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SCT012H90G3AG

Name: STMicroelectronics SCT012H90G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT012H90G3AG
Price: 17.67 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SCT012H90G3AG

N. produttore:

SCT012H90G3AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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Scheda dati:

SCT012H90G3AG Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	17,67 €	17,67 €
	12,69 €	126,90 €
	12,33 €	1.233,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	H2PAK-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	900 V
Id - corrente di drain continua:	110 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	12 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.2 V
Qg - Carica del gate:	138 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	625 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	30 ns
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	47 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	silicon carbide Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	82 ns
Tipico ritardo di accensione:	37 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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