MOSFET di potenza OptiMOS™ 6

I MOSFET di potenza 6 OptiMOS™ di Infineon Technologies offrono l'innovazione all'avanguardia di nuova generazione e le migliori prestazioni della categoria. La famiglia di prodotti OptiMOS 6 utilizza la tecnologia a wafer sottile che consente notevoli vantaggi in termini di performance. Rispetto ai prodotti alternativi, i MOSFET di potenza OptiMOS 6 hanno una RDS(ON) ridotta del 30% e sono ottimizzati per il raddrizzamento sincrono.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
Scheda dati
9.920In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 600 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
Scheda dati
2.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 40 V 390 A 750 uOhms 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
Scheda dati
50012/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Scheda dati
2.00026/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Scheda dati
1.91605/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Scheda dati
10.00005/02/2027 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel