Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Tipi di Semiconduttori discreti
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Microchip Technology Diodi Schottky SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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23A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodi Schottky SiC 700 V, 10 A SiC SBD
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325A magazzino
Min: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodi Schottky SiC 700V, 50A SiC SBD
Scheda dati
44A magazzino
Min: 1
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Diodi Schottky SiC 700 V, 20 A SiC SBD
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Tempo di consegna, se non a magazzino 7 settimane
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodi Schottky SiC SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
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Mult.: 150

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodi Schottky SiC SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 7 settimane
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Mult.: 100

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
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Tempo di consegna 18 settimane
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Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount SOT-227
Microchip Technology Diodi Schottky SiC SIC SBD 700 V 10 A TO-268
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-268-3