MOSFET al carburo di silicio G2 CoolSiC™

I MOSFET CoolSiC™ G2 al carburo di silicio di Infineon Technologies offrono un eccellente livello di prestazioni per dispositivi in SiC, rispettano al contempo i più elevati standard di qualità in tutte le comuni combinazioni di schemi di alimentazione (CA-CC, CC-CC e CC-CA). I MOSFET in SiC offrono un incremento di prestazioni per inverter fotovoltaici, sistemi di accumulo di energia, carica di veicoli elettrici, alimentatori e azionamento motori rispetto alle alternative in Si. I MOSFET Infineon CoolSiC G2 fanno ulteriormente progredire l’esclusiva tecnologia di interconnessione XT (ad es. in alloggiamenti dedicati TO-263-7, TO-247-4) che consente di risolvere il problema comune: migliorare le prestazioni dei chip dei semiconduttori mantenendo al contempo la capacità termica. La capacità termica G2 è migliore di 12%, aumentando le cifre di merito del chip a un elevato livello di prestazioni SiC.