MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 1.200 V G2

I MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 1.200 V G2 di Infineon Technologies offrono soluzioni ad alte prestazioni per applicazioni di elettronica di potenza. Questi MOSFET dimostrano eccellenti caratteristiche elettriche e presentano perdite di commutazione molto basse, consentendo un funzionamento efficiente. I MOSFET G2 1.200 V sono progettati per condizioni di sovraccarico, supportano il funzionamento fino a 200 °C e possono resistere a cortocircuiti fino a 2 µs. Questi dispositivi funzionalità un 4,2 V benchmark gate tensione di soglia VGS(th) e garantiscono controllo precisi. Il MOSFET CoolSiC 1.200 V G2 è disponibile in tre pacchetti che sfruttano i punti di forza della tecnologia di generazione 1 per fornire soluzioni avanzate per sistemi più efficienti, compatti, facili da progettare, affidabile e con costi ottimizzati. La generazione 2 migliora significativamente i principali parametri di merito per le topologie hard-/soft-switching, ideali per tutte le comuni combinazioni di stadi CC-CC, CA-CC e CC-CA.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Scheda dati
959A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
Scheda dati
967A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Scheda dati
858A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
Scheda dati
556A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.054A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.189A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
3.648A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
433A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
475A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.651A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
752A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
256A magazzino
1.00005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
259A magazzino
5.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
9A magazzino
2.00011/06/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Scheda dati
13A magazzino
1.680In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Scheda dati
75005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 342 A 13.6 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 261 nC - 55 C + 175 C 1.364 kW Enhancement CoolSiC