MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 1.200 V G2

I MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 1.200 V G2 di Infineon Technologies offrono soluzioni ad alte prestazioni per applicazioni di elettronica di potenza. Questi MOSFET dimostrano eccellenti caratteristiche elettriche e presentano perdite di commutazione molto basse, consentendo un funzionamento efficiente. I MOSFET G2 1.200 V sono progettati per condizioni di sovraccarico, supportano il funzionamento fino a 200 °C e possono resistere a cortocircuiti fino a 2 µs. Questi dispositivi funzionalità un 4,2 V benchmark gate tensione di soglia VGS(th) e garantiscono controllo precisi. Il MOSFET CoolSiC 1.200 V G2 è disponibile in tre pacchetti che sfruttano i punti di forza della tecnologia di generazione 1 per fornire soluzioni avanzate per sistemi più efficienti, compatti, facili da progettare, affidabile e con costi ottimizzati. La generazione 2 migliora significativamente i principali parametri di merito per le topologie hard-/soft-switching, ideali per tutte le comuni combinazioni di stadi CC-CC, CA-CC e CC-CA.

Risultati: 45
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Scheda dati
198A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Scheda dati
235A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Scheda dati
300A magazzino
48009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Scheda dati
202A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Scheda dati
621A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Scheda dati
1.665A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 50

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Scheda dati
1.843A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Scheda dati
255A magazzino
75009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Scheda dati
375A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Scheda dati
869A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Scheda dati
712A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Scheda dati
670A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Scheda dati
303A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Scheda dati
130A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 10

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Scheda dati
147A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 30

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Scheda dati
182A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 120

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Scheda dati
277A magazzino
720In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Scheda dati
396A magazzino
48029/04/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Scheda dati
483A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Scheda dati
826A magazzino
24009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 70

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Scheda dati
776A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
1.083A magazzino
1.00015/10/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 10
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Scheda dati
3.333A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Scheda dati
6A magazzino
1.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Scheda dati
111A magazzino
24009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC