Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Collettore a corrente continua a 25 °C Corrente di perdita gate-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Package/involucro Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 12A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT IGBT Module 1400A 1700V 4A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT PP IHM I 112A magazzino
9011/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module 5A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies Moduli IGBT IGBT Module 450A 1700V 1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
2028/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 10 A PIM IGBT module Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray