MOSFET al carburo di silicio 650 V G2 CoolSiC™

I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 650 V G2 di Infineon Technologies sfruttano le capacità delle prestazioni del carburo di silicio consentendo una minore perdita di energia che si traduce in una maggiore efficienza durante la conversione di potenza. I MOSFET Infineon CoolSiC 650 V G2 offrono vantaggi per varie applicazioni dei semiconduttori quali il fotovoltaico, la conservazione di energia CC EV, la carica di azionamenti motori e gli alimentatori industriali. Una stazione di ricarica rapida CC per veicoli elettrici dotata di CoolSiC G2 consente una perdita di potenza fino al 10% in meno rispetto alle generazioni precedenti, consentendo al contempo una maggiore capacità di ricarica senza compromettere i fattori di forma.

Risultati: 53
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 258A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 447A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 624A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 1.048A magazzino
1.80020/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 1.676A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.627A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.783A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 682A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.960A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.868A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 348A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 480A magazzino
24005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 380A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 394A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 231A magazzino
48016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.063A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 103 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 361A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 136A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 262A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 299A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 343A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 333A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 276A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 122A magazzino
24020/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
1.99603/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC