Transistori di potenza CoolGaN™ G5 da 700 V

I transistori di potenza CoolGaN™ G5 da 700 V di Infineon Technologies rappresentano un significativo avanzamento nella tecnologia di conversione di potenza. Questi transistori in nitruro di gallio (GaN) sono progettati per funzionare ad alte frequenze con efficienza superiore, consentendo una commutazione ultraveloce e minimizzando le perdite di energia. La serie CoolGaN G5 da 700 V presenta transistor in modalità di miglioramento che normalmente sono disattivati, garantendo il funzionamento in sicurezza e alta affidabilità. Grazie alla bassa carica di gate e di uscita, questi transistori supportano progetti alta potenza densità di potenza e riducono i costi DiBa del sistema.

Risultati: 7
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Scheda dati
1.792A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Scheda dati
4.888A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Scheda dati
5.130A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Scheda dati
1.924A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Scheda dati
1.924A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Scheda dati
1.096A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Scheda dati
4.99423/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN