IGD70R140D2SAUMA1

Infineon Technologies
726-IGD70R140D2SAUMA
IGD70R140D2SAUMA1

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

Ciclo di vita:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: GaN FETs
RoHS::  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
700 V
- 10 V
1.6 V
1.9 nC
- 40 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolGaN
Marchio: Infineon Technologies
Configurazione: Single
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: AT
Tempo di caduta: 23 ns
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Prodotto: Transistors
Tipo di prodotto: GaN FETs
Tempo di salita: 7 ns
Serie: CoolGaN G5
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: GaN
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tipo: CoolGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico: 10 ns
Tipico ritardo di accensione: 7 ns
Alias n. parte: IGD70R140D2S SP006085341
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistori di potenza CoolGaN™ G5 da 700 V

I transistori di potenza CoolGaN™ G5 da 700 V di Infineon Technologies rappresentano un significativo avanzamento nella tecnologia di conversione di potenza. Questi transistori in nitruro di gallio (GaN) sono progettati per funzionare ad alte frequenze con efficienza superiore, consentendo una commutazione ultraveloce e minimizzando le perdite di energia. La serie CoolGaN G5 da 700 V presenta transistor in modalità di miglioramento che normalmente sono disattivati, garantendo il funzionamento in sicurezza e alta affidabilità. Grazie alla bassa carica di gate e di uscita, questi transistori supportano progetti alta potenza densità di potenza e riducono i costi DiBa del sistema.