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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 40 settimane
Min: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 40 settimane
Min: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 50 V 200 mA, 360 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 40 settimane
Min: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel