Ultime novità per MOSFET

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04/21/2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02/17/2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09/04/2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09/03/2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08/29/2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08/29/2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

10/16/2023

- Feature a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

10/16/2023

- Features a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 30W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

08/15/2023

- Feature low RDS(ON) and high switching speed.

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs

06/06/2023

- Low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω.

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

05/30/2023

- Offers a low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified, DFN5060-8L package.

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

11/16/2022

- Utilize Trench technology to improve the product characteristics.

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

07/08/2022

- Features advanced Trench Process technology and optimized for use as relay drivers and line drivers.

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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04/14/2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Si tratta di MOSFET a canale N da 80 V o 100 V, a livello logico, con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)].

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03/13/2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03/05/2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

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