IGBT TRENCHSTOP™ 5

Gli IGBT TRENCHSTOP™5 di Infineon rappresentano la prossima generazione di IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) con wafer sottili in grado di offrire conduzione e perdite di commutazione significativamente inferiori rispetto alle soluzioni attualmente leader di mercato. L'unico IGBT sul mercato in grado di eguagliare le prestazioni del TRENCHSTOP™ 5. Progettati per applicazioni con commutazione > 10 kHz. Lo spessore del wafer è stato ridotto a >25%, caratteristica che consente un notevole miglioramento in termini di perdite di commutazione e di conduzione, fornendo al tempo stesso una rivoluzionaria tensione di 650 V. Questo salto di efficienza apre nuove opportunità per i progettisti.
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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287A magazzino
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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166A magazzino
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Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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2.908In ordine
Min: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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5.28027/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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47502/07/2026 previsto
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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24026/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 148 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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18002/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
MouseReel disponibile
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: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 38 A 125 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 240
Mult.: 240

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 240
Mult.: 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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Min: 240
Mult.: 240

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube