IGBT TRENCHSTOP™ 5

Gli IGBT TRENCHSTOP™5 di Infineon rappresentano la prossima generazione di IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) con wafer sottili in grado di offrire conduzione e perdite di commutazione significativamente inferiori rispetto alle soluzioni attualmente leader di mercato. L'unico IGBT sul mercato in grado di eguagliare le prestazioni del TRENCHSTOP™ 5. Progettati per applicazioni con commutazione > 10 kHz. Lo spessore del wafer è stato ridotto a >25%, caratteristica che consente un notevole miglioramento in termini di perdite di commutazione e di conduzione, fornendo al tempo stesso una rivoluzionaria tensione di 650 V. Questo salto di efficienza apre nuove opportunità per i progettisti.
Maggiori informazioni

Risultati: 39
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Scheda dati
244A magazzino
96005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Scheda dati
80A magazzino
7.960In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
314A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Scheda dati
5A magazzino
2.88009/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
340A magazzino
72002/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 90 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Scheda dati
288A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Scheda dati
697A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
Scheda dati
2.10212/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.05 V - 20 V, 20 V 85 A 227 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
760In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Scheda dati
31202/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
Min: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
Min: 240
Mult.: 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube