Infineon Technologies IGBT TRENCHSTOP™ 5
Gli IGBT TRENCHSTOP™5 di Infineon rappresentano la prossima generazione di IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) con wafer sottili in grado di offrire conduzione e perdite di commutazione significativamente inferiori rispetto alle soluzioni attualmente leader di mercato. L'unico IGBT sul mercato in grado di eguagliare le prestazioni del TRENCHSTOP™ 5. Progettati per applicazioni con commutazione > 10 kHz. Lo spessore del wafer è stato ridotto a >25%, caratteristica che consente un notevole miglioramento in termini di perdite di commutazione e di conduzione, fornendo al tempo stesso una rivoluzionaria tensione di 650 V. Questo salto di efficienza apre nuove opportunità per i progettisti.
Caratteristiche
- 650V breakthrough voltage
- Compared to 'HighSpeed 3' family:
- Factor 2.5 lower Qg
- Factor 2 reduction in switching losses
- 200mV reduction in VCE(sat)
- Co-packed with Infineon Technologies’s new 'Rapid' Si-diode technology
- Low Coss/Eoss
- Mild positive temperature coefficient VCE(sat)
- 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
- Temperature stability of VF
- Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability
- Higher power density designs
Applicazioni
- PFC + PWM topologies in:
- Welding
- UPS
- Solar
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