X2-Class IXYS MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
IXYS MOSFET TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/8A TO-263
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-263
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-263
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 29 settimane
Min: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXFP36N55X2
IXYS MOSFET TO220 550V 36A N-CH X2CLASS Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 50

Si Tube
IXYS IXTA30N65X2
IXYS MOSFET TO263 650V 30A N-CH X2CLASS Tempo di consegna, se non a magazzino 41 settimane
Min: 300
Mult.: 50

Si Tube
IXYS IXFP14N55X2
IXYS MOSFET TO220 550V 14A N-CH X2CLASS Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 50

Si Tube