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IXFH60N65X2-4

Name: IXYS IXFH60N65X2-4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH60N65X2-4
Price: 8.97 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

747-IXFH60N65X2-4

N. produttore:

IXFH60N65X2-4

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 650V/60A TO-247-4L

Scheda dati:

IXFH60N65X2-4 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	60 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	52 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	108 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	780 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	12 ns
Transconduttanza diretta - Min:	23 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	23 ns
Serie:	650V Ultra Junction X2
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	63 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Peso unità:	6 g