MOSFET di potenza a canale N MDmesh™ V

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V STMicroelectronics contengono la rivoluzionaria tecnologia MDmesh™ V, basata su un innovativo processo verticale brevettato, combinato con la nota struttura orizzontale STMicroelectronics PowerMESH™. I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V Power hanno una resistenza in conduzione estremamente bassa, senza paragoni tra i MOSFET di potenza al silicio, caratteristica che li rende particolarmente adatti alle applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza straordinaria.
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Scheda dati
338A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
Scheda dati
137A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Tube