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SP8M6HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M6HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M6HZGTB
Price: 1.63 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SP8M6HZGTB

N. produttore:

SP8M6HZGTB

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET AECQ

Scheda dati:

SP8M6HZGTB Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,63 €	1,63 €
	0,98 €	9,80 €
	0,723 €	72,30 €
	0,597 €	298,50 €
	0,542 €	542,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,493 €	1.232,50 €
	0,469 €	2.345,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOP-8
Polarità transistor:	N-Channel, P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	5 A, 3.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	51 mOhms, 90 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Carica del gate:	3.9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	5 ns, 10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.8 S, 3 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8 ns, 15 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	22 ns, 35 ns
Tipico ritardo di accensione:	6 ns, 10 ns
Alias n. parte:	SP8M6HZG

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Attributi selezionati: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Scheda dati

SP8M6HZGTB Scheda dati (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza SP8M

I MOSFET di potenza SP8M di ROHM Semiconductor sono dispositivi a bassa resistenza in conduzione alloggiati in un piccolo package a montaggio superficiale (SOP8). SP8M presenta un rivestimento senza piombo ed è conforme a RoHS. I MOSFET sono inoltre privi di alogeni, hanno placcatura Sn100% e sono qualificati AEC-Q101.