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SP8M51HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M51HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M51HZGTB
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SP8M51HZGTB

N. produttore:

SP8M51HZGTB

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET AECQ

Scheda dati:

SP8M51HZGTB Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,03 €	2,03 €
	1,32 €	13,20 €
	0,903 €	90,30 €
	0,72 €	360,00 €
	0,708 €	708,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,599 €	1.497,50 €
	0,598 €	2.990,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOP-8
Polarità transistor:	N-Channel, P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	3 A, 2.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	170 mOhms, 290 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Carica del gate:	8.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	14 ns, 19 ns
Transconduttanza diretta - Min:	3.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	13 ns, 13 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns, 75 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns, 15 ns
Alias n. parte:	SP8M51HZG

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Attributi selezionati: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Scheda dati

SP8M51HZGTB Scheda dati (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.