Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 4.06 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

511-SGT65R65AL

N. produttore:

SGT65R65AL

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Completa il tuo progetto

Scheda dati:

SGT65R65AL Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su STMicroelectronics SGT65R65AL

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 52 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 3000 Multipli: 3000

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	4,06 €	12.180,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	25 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	65 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	+ 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Qg - Carica del gate:	5.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	305 W
Marchio:	STMicroelectronics
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN-on-Si
Tipo di transistor:	E-Mode
Tipo:	RF Power MOSFET
Peso unità:	76 mg

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

SGT65R65AL Scheda dati (PDF)

Application Notes

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistori di potenza PowerGaN™ SGT G-HEMT in modalità E

I transistori SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN di STMicroelectronics sono dispositivi potenziati GaN ad alte prestazioni e modalità (normalmente disattivati) progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza nelle applicazioni di conversione di potenza più esigenti. Questi transistori sfruttano i vantaggi della banda proibita ad ampio spettro del nitruro di gallio per ottenere capacità estremamente basse, carica di gate minima e carica di recupero inversa pari a zero, consentendo un'efficienza superiore rispetto agli interruttori di potenza tradizionali in silicio.

Transistor PowerGaN e-mode SGT65R65AL

I transistori e-mode PowerGaN SGT65R65AL di STMicroelectronics sono transistori da 650 V, 25 A combinati con una tecnologia di packaging consolidata. Il SGT65R65AL di STMicroelectronics ha un dispositivo G-HEMT risultante che fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità ad alta corrente e funzionamento di commutazione ultraveloce. Il dispositivo può consentire alta densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.