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SGT240R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT240R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT240R70ILB
Price: 1.08 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-SGT240R70ILB

N. produttore:

SGT240R70ILB

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ciclo di vita:

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Scheda dati:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-8
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Id - corrente di drain continua:	10 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	240 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	76 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	Not Available
Tempo di caduta:	6 ns
Confezione:	Reel
Prodotto:	FET
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	5 ns
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico:	4 ns
Tipico ritardo di accensione:	2 ns

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USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.