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IXYX110N120A4

Name: IXYS IXYX110N120A4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYX110N120A4
Price: 22.77 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXYX110N120A4

N. produttore:

IXYX110N120A4

Produttore:

IXYS

Descrizione:

IGBTs PLUS247 1200V 110A GENX4

Scheda dati:

IXYX110N120A4 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	14,67 €	146,70 €
	14,43 €	1.731,60 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.8 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	375 A
Pd - Dissipazione di potenza:	1.36 kW
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	Trench
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Corrente continua di collettore Ic max:	900 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	200 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	XPT

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench IGBT XPT ™ GenX4™ da 1200 V IXYx110N120A4

Gli IGBT Trench XPT™ GenX4™ da 1200 V IXYx110N120A4 sono IGBT ad alto guadagno sono ottimizzati per perdite di conduzione V_CE(sat) ultrabasse e per frequenze di commutazione fino a 5 kHz. La tecnologia a wafer sottile e i processi migliorati consentono una bassa carica del gate QG e, di conseguenza, requisiti limitati di corrente di gate. L'elevato guadagno aumenta la capacità di corrente di picco e il coefficiente termico positivo di V_CE(sat) semplifica il parallelismo. La bassa resistenza termica di Rth(j-c) facilita i problemi di progettazione legati al calore.

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