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IXYK140N120A4

Name: IXYS IXYK140N120A4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYK140N120A4
Price: 37.82 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXYK140N120A4

N. produttore:

IXYK140N120A4

Produttore:

IXYS

Descrizione:

IGBTs TO264 1200V 140A GENX4

Scheda dati:

IXYK140N120A4 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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	37,82 €	37,82 €
	27,22 €	272,20 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-264-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.7 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	480 A
Pd - Dissipazione di potenza:	1.5 kW
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	Trench
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Corrente continua di collettore Ic max:	480 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	200 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	25
Sottocategoria:	IGBTs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT GenX4™ XPT™ Trench da 650 V a 1.200 V

IXYS trench 650 V a 1.200 V Gli IGBT XPT™ GenX4™ sono sviluppati utilizzando un wafer sottile proprietario XPT tecnologia e un processo all'avanguardia di quarta generazione (GenX4™) IGBT trench. Questi transistor bipolari a gate isolato presentano una resistenza termica ridotta, basse perdite energetiche, commutazione veloce, bassa corrente di coda e alte densità di corrente. I dispositivi presentano un'eccezionale robustezza durante la commutazione e in condizioni di cortocircuito.

IGBT XPT™ GenX4™ IXYxN120A4

Gli IGBT Trench IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ sono IGBT a trincea di quarta generazione con tecnologia XPT a wafer sottile. Questi transistor IGBT con bassissima V_SAT supportano frequenze di commutazione fino a 5 kHz e sono ottimizzati per basse perdite di conduzione. Gli IGBT IXYxN120A offrono vantaggi quali un'elevata densità di potenza, un basso requisito di pilotaggio del gate e una temperatura operativa compresa tra -55°C e +175°C. Questi transistor sono disponibili nei package TO-247 e TO-269HV, ciascuno con una tensione di 1200 V e una corrente di 55 A o 85 A. Gli IGBT IXYxN120A sono utilizzati in applicazioni come inverter di potenza, unità motore, circuiti PFC, caricabatterie, macchine per saldatura, reattori di lampade e circuiti di protezione dalla corrente di spunto.

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).