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BSH205G2R

Name: Nexperia BSH205G2R
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2R
Price: 0.33 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

771-BSH205G2R

N. produttore:

BSH205G2R

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A

Scheda dati:

BSH205G2R Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,335 €	0,34 €
	0,208 €	2,08 €
	0,191 €	9,55 €
	0,132 €	13,20 €
	0,098 €	49,00 €
	0,087 €	87,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,072 €	216,00 €
	0,065 €	390,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-23-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	2.3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	170 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	450 mV
Qg - Carica del gate:	6.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	890 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Nexperia
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	16 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	14 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel Trench MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	43 ns
Tipico ritardo di accensione:	5 ns
Alias n. parte:	934068496215
Peso unità:	8 mg

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JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET a trincea a canale P a 20 V BSH205G2

Il MOSFET a trincea a canale P NXP è un transistor a effetto di campo (FET) ad arricchimento in un piccolo package di plastica a montaggio superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB). Impiega la tecnologia MOSFET a trincea e offre una bassa tensione di soglia e una commutazione estremamente rapida. Questo MOSFET è ideale per applicazioni come driver di relè, driver di linea ad alta velocità e circuiti di commutazione.
Maggiori informazioni

Prodotti in package a montaggio superficiale SOT23

I prodotti a montaggio superficiale SOT23 Nexperia sono contenuti in un package in plastica a montaggio superficiale, a tre terminali, con passo da 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm. Questo package di rinforzo nei semiconduttori, introdotto nel 1969, rapidamente è diventato uno standard di settore. Il SOT23 racchiude una vasta gamma di diodi, transistor bipolari, MOSFET e dispositivi di protezione ESD all'interno del portafoglio di Nexperia. Il package SOT23 è rimasto una costante negli ultimi 50 anni, portando alla creazione di diverse varianti, come il SOT223 e il SOT323.