BFU550WX

NXP Semiconductors
771-BFU550WX
BFU550WX

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF bipolari Dual NPN wideband Silicon RFtransistor

Ciclo di vita:
Fine vita:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
NXP
Categoria prodotto: Transistor RF bipolari
RoHS::  
BFU550W
Bipolar Wideband
Si
NPN
11 GHz
60
12 V
2 V
50 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-323-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: NXP Semiconductors
Corrente CC massima collettore: 80 mA
Potenza di uscita: 13.5 dBm
Pd - Dissipazione di potenza: 450 mW
Tipo di prodotto: RF Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Alias n. parte: 934067695115
Peso unità: 5,569 mg
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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Transistor RF al silicio a banda larga BFU5x NPN

I transistor RF al silicio a banda larga BFU5x NPN di NXP Semiconductor sono transistor RF ad alta tensione di rottura, basso rumore, AEC-Q101 compatibili per applicazioni di potenza da basso a medio segnale fino a 2 GHz. I transistor RF BFU5x offrono eccezionali prestazioni generando 20 dB di guadagno massimo e una cifra di rumore di 0,7 dB a 900 MHz. Questi dispositivi consentono una migliore ricezione del segnale a media e bassa potenza e permettono ai ricevitori RF di operare più efficacemente negli ambienti rumorosi. Se utilizzati come oscillatori o amplificatori (a basso rumore), i transistor BFU5x RF supportano alte tensioni di alimentazione e alte tensioni di rottura. Queste caratteristiche li rendono adatti per le applicazioni nel settore automobilistico, delle comunicazioni e industriale. I prodotti sono disponibili in un'ampia gamma di package standard, compresi SOT323, SOT23 e SOT143.
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