NXP Semiconductors Transistor RF al silicio a banda larga BFU5x NPN
I transistor RF al silicio a banda larga BFU5x NPN di NXP Semiconductor sono transistor RF ad alta tensione di rottura, basso rumore, AEC-Q101 compatibili per applicazioni di potenza da basso a medio segnale fino a 2 GHz. I transistor RF BFU5x offrono eccezionali prestazioni generando 20 dB di guadagno massimo e una cifra di rumore di 0,7 dB a 900 MHz. Questi dispositivi consentono una migliore ricezione del segnale a media e bassa potenza e permettono ai ricevitori RF di operare più efficacemente negli ambienti rumorosi. Se utilizzati come oscillatori o amplificatori (a basso rumore), i transistor BFU5x RF supportano alte tensioni di alimentazione e alte tensioni di rottura. Queste caratteristiche li rendono adatti per le applicazioni nel settore automobilistico, delle comunicazioni e industriale. I prodotti sono disponibili in un'ampia gamma di package standard, compresi SOT323, SOT23 e SOT143.Caratteristiche
- Low noise, high breakdown RF transistor
- AEC-Q101 qualified
- Suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz
- Enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments
- Minimum noise figure (NFmin) = 0.65dB at 900MHz
- Maximum stable gain 20dB at 900MHz; 22dB at 900MHz (BFU590Q)
- 11GHz or 8GHz fT silicon technology
Applicazioni
- Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
- Broadband amplifiers up to 2GHz
- Low noise amplifiers for ISM applications
- Large signal amplifiers for ISM applications
- Medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz)
- ISM band oscillators
- Automotive
- Satellite
- Broadcast
- FM radio
- General-purpose
Pubblicato: 2014-09-12
| Aggiornato: 2025-11-26
